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  • 该全新第二代650V SiC SBD改善了正向浪涌电流(IFSM)和优值(VF・Qc),实现了更高的电源效率。
  • 东芝于2015年推出了650V和1200V的SBD二极管系列以及1200V常开型SiC MOSFET。
  • 注入增强型绝缘栅晶体管(IEGT)是用来开关大电流的电压驱动型器件。
  • 东芝已开发出第4代超级结600-V DTMOSⅣ MOSFET系列产品。
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